Анализ усилителей СВЧ на резонансно-туннельных диодах
Аннотация
Дата поступления статьи: 22.09.2017В работе проанализированы характеристики усилителей на резонансно-туннельных диодах (РТД) с помощью метода медленно меняющихся амплитуд при больших сигналах и при работе на частотах, близких к резонансной. Выявлено, что нелинейные и резонансные свойства усилителя на РТД связаны и зависят друг от друга; нелинейность ВАХ РТД придает резонансным кривым такой вид, который обычно бывает в случае нелинейной реактивности. Установлено, что при больших сигналах необходимо учитывать зависимость емкости гетероперехода от напряжения, что будет усложнять ход резонансных кривых.При этом рассматривается наиболее полная эквивалентная схема РТД без упрощений.
Ключевые слова: усилитель на резонансно-туннельных диодах, эквивалентная схема, амплитудно-частотная характеристика, область неустойчивости, колебательная характеристика, параметр регенерации