×

Вы используете устаревший браузер Internet Explorer. Некоторые функции сайта им не поддерживаются.

Рекомендуем установить один из следующих браузеров: Firefox, Opera или Chrome.

Контактная информация

+7-863-218-40-00 доб.200-80
ivdon3@bk.ru

Использование имитационных моделей при контроле параметров интегральных микросхем

Аннотация

Дракин А.Ю. , Школин А.Н., Пугачев А.А.

Дата поступления статьи: 07.05.2019

Приведены сведения по разработке имитационных (поведенческих) моделей микросхем импульсных преобразователей напряжения для применения в автоматизированном измерительном оборудовании, используемого в испытаниях указанных интегральных микросхем. Выполнено моделирование интегральной микросхемы LM2676 с учетом тепловыделения и учетом взаимного влияния температуры кристалла на внешние электрические характеристики в составе общей поведенческой модели. Получены результаты, совпадающие с экспериментальными данными и со SPICE-моделью на транзисторном уровне, а также зависимости, отражающие влияние температуры кристалла на функционирование микросхемы. Показана возможность использования поведенческих моделей в качестве источника нормативно-справочной информации в процессе тестирования электронных компонентов.

Ключевые слова: автоматизированное тестовое оборудование, контроль параметров микросхем, импульсные преобразователи напряжения, поведенческая модель, VHDL-AMS

05.13.18 - Математическое моделирование, численные методы и комплексы программ

`